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据了解，此次非煤矿山重大事故隐患集中攻坚分为自查自改、督查检查、“回头看”总结提升三个阶段。非煤矿山企业突出重点，细化程序，完善排查方法，通过现场检查、档案管理以及疑点问题研判等方式，严格按照非煤矿山重大事故隐患判定标准比照查询，确保重大事故隐患动态清零。对于与标准不完全一致、对标准条文存在不同理解的，记录在案，及时上报有关部门共同组织研究，确保彻底消除隐患风险。

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许将，字冲元，其先祖许令骥为河南固始县人氏，随王潮、王审知入闽，后定居闽清，传至许将的曾祖时，移居福州城东虎园(属闽县)，故世称许将为闽县人。许将26岁时，考中嘉祐八年(1063年)癸卯科状元，是历史上福州地区第一位状元，也是福建历史上最年轻的一位状元WWW,3011999,COM，从此踏上了他长达48年，历经宋仁宗、宋英宗、宋神宗、宋哲宗、宋徽宗的五朝宦海生涯。

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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。