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村K现场，来自郴州市汝城县沙洲村、冷水滩区茶花村、零陵区涧岩头村、宁远县下灌村、祁阳市唐家岭村、邵阳隆回县白水洞村、湘西吉首市夯坨村、新田县龙溪村、蓝山县坪源村、金洞管理区西岭坳村等10个村依次登台，围绕“我的村庄”、“我的演唱”和“我的特色”三个环节进行精彩演绎、激情PK，他们将人民幸福生活的心声、美好未来的憧憬都融入到歌曲中，展现了人民幸福、积极向上的精神风貌。

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5月12日，“感恩杯”校际武艺操大赛在香港元朗体育馆举行，本次大赛由冯燊均国学基金会主办，中国武术国际学院承办，比赛设太极拳、棍术、五形拳和武艺操等项目，60所香港“武艺校园计划”先导学校中的42所学校700余名中小学生参赛。该比赛是“武艺校园计划”重点活动之一，旨在通过中国传统武术激发青少年的爱国主义精神、民族自豪感和国家认同感。图为青少年参加武艺操比赛。

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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。