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习近平指出，2017年6月，中巴建交掀开两国关系新篇章。建交近七年来，两国关系快速发展、成果丰硕，给两国人民带来实实在在好处。事实证明，中巴建交符合两国根本利益，推进中巴关系、坚持一个中国原则已成为两国社会各界普遍共识。中巴是真诚互信的好朋友、互利共赢的好伙伴。我高度重视中巴关系发展，愿同穆利诺当选总统开展友好交往，引领中巴关系继往开来持续深入发展，更好造福两国人民。

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“我们这次聚合了境内外主要客源国头部旅行商企业、国内各地入境旅游头部企业，为无锡本地文旅优质供应链资源搭建展区、布置展台，进行全方位展示推介WWW,87438Q,COM，并精准打通了上下游‘买家’与‘卖家’渠道。”中国旅行社协会入境旅游分会执行会长郑琳希望通过本次活动，把众多“买家”带到无锡，与无锡的各大景区、景点达成一个完美结合，推动无锡入境旅游事业高质量发展。

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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。