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湖北大悟县人民政府办公室12日通报：近日，针对网民反映“大悟县吕王镇刘院村部分村民个人身份被冒用注册工商营业执照”问题WWW,000410,COM，大悟县委、县政府高度重视，县纪委监委迅速组建专班调查处置。经查，2011年至2023年，吕王镇原工商所邓某、方某等人在“市场主体增量行动”中，违反依法合规的工作要求，通过镇政府工作人员获取刘院村部分村民身份信息，违规办理工商营业执照154个WWW,000410,COM，涉及村民134人。同时排查出其他乡镇违规办理工商营业执照84个。目前，对违规办理的工商营业执照依法注销，对利益受损群众落实相关政策，对违规人员依法依规予以追责问责。
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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。
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