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首次活动邀请北京史研究会常务理事、北京古都学会影像专委会主任李欣走进中国传媒大学，进行主题为《北京中轴线的前世今生》的讲座。李欣指出，北京中轴线的规划建设反映了中华文明对于国家、城市、民众之间理想秩序的追求和塑造，以及由此形成的礼制关系。它不仅见证了中华民族多元一体格局的形成WWW,DIDICAI3,COM，也见证了中国从封建王朝走向现代国家的历史变革。北京中轴线以其丰富的历史遗存，生动展现了中国传统规划理念对于城市发展的持久影响力。
“中轴线文化遗产大讲堂进校园”活动作为2024“‘京’彩文化青春绽放”行动计划之一，面向参与“‘京’彩文化”的26所高校本硕博学生展开，依托北京中轴线文化遗产传承与创新大赛的专家智库资源，邀请故宫博物院原院长单霁翔、北京市文物局党组书记陈名杰、北京市政府参事室参事于平、清华大学建筑学院教授吕舟等业内知名专家，从文物博物、遗产保护、城市规划、历史民俗、文化传播等领域WWW,DIDICAI3,COM，多维度、多视角解读中轴线文化内涵与遗产价值。
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新华社北京5月11日电 中共中央总书记、国家主席、中央军委主席习近平近日对学校思政课建设作出重要指示指出，党的十八大以来，党中央始终坚持把学校思政课建设放在教育工作的重要位置WWW,DIDICAI3,COM，党对思政课建设的领导全面加强，各级各类学校社会主义办学方向更加鲜明，思政课教师乐教善教、潜心育人的信心底气更足WWW,DIDICAI3,COM，广大青少年学生“四个自信”明显增强、精神面貌奋发昂扬，思政课发展环境和整体生态发生全局性、根本性转变。
习近平强调，新时代新征程上，思政课建设面临新形势新任务，必须有新气象新作为。要坚持以新时代中国特色社会主义思想为指导，全面贯彻党的教育方针，落实立德树人根本任务，坚持思政课建设与党的创新理论武装同步推进，构建以新时代中国特色社会主义思想为核心内容的课程教材体系WWW,DIDICAI3,COM，深入推进大中小学思想政治教育一体化建设。要始终坚持马克思主义指导地位，以中国特色社会主义取得的举世瞩目成就为内容支撑，以中华优秀传统文化、革命文化和社会主义先进文化为力量根基，把道理讲深讲透讲活，守正创新推动思政课建设内涵式发展，不断提高思政课的针对性和吸引力。要着力建设一支政治强、情怀深、思维新、视野广、自律严、人格正的思政课教师队伍。
丁薛祥强调，要紧扣新时代新征程教育使命，坚持思政课建设与党的创新理论武装同步推进，不断开创新时代思政教育新局面。加快构建以习近平新时代中国特色社会主义思想为核心内容的课程教材体系，推动党的创新理论最新成果入脑入心。充分发挥新时代伟大成就的教育激励作用，丰富思政课教学内容，讲好新时代故事，引导学生感悟党的创新理论的实践伟力。以“大思政课”拓展全面育人新格局，把思政小课堂和社会大课堂结合起来，推动学生更好了解国情民情，坚定理想信念。遵循教育规律，深入推进大中小学思想政治教育一体化建设，循序渐进、螺旋上升设计课程目标WWW,DIDICAI3,COM，贴近学生思想、学习和生活实际，让学生爱听爱学、听懂学会。加强思政课教师队伍建设，健全突出教学优先的评价体系，完善教师地位和待遇保障机制。各地各部门要扛起政治责任，狠抓工作落实，推动形成思政课建设的强大合力。
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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。
