WWW,DH888,BET
循环始于“引进人才”。香港具有背靠祖国、面向世界的独特优势,还有一流的商业环境、高度开放的市场、包容的文化和宜居的生活环境,对世界人才极具吸引力。本届特区政府也为招揽人才下足功夫,自2022年底起,特区政府取消了“优秀人才入境计划”年度配额限制,“人才清单”中的紧缺人才专业从13个增加到51个WWW,DH888,BET,并推出门槛简单明了的“高端人才通行证计划”。逾12万名来自世界各地的人才落户香港是对香港吸引力和特区政府引才成效的最好佐证。
2019年6月,该所在实验室大型塑料桶、塑料盒中开展养殖白蚁巢培育鸡枞菌出菇的技术研究,实现实验室控制条件下,黑翅土白蚁配对成功率95%以上、出巢率58.1%,并于2021—2023年在东川、宜良、富民等地野外回归放养白蚁314巢,成活率达到93%。2023年7月,该所在富民县黄坡回归放养的白蚁巢有2巢长出鸡枞菌子实体。
盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ•cm2WWW,DH888,BET,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。